究竟是什么導致鍵合分離呢？

半導體器件鍵合分離是較為常見的失效模式之一。這種失效模式用常規(guī)篩選和測試很難剔除，只有強烈震動下才可能暴露出來，因此對半導體器件的可靠性危害極大。

可能影響內(nèi)引線鍵合可靠性的因素有：

鍵合區(qū)接觸電阻增加：鍵合區(qū)光刻膠或鈍化膜未去除干凈，導致接觸電阻增加，使鍵合可靠性降低。

引線框架一般采用銅材料，易與空氣中的水分子、氧元素發(fā)生化學反，從而產(chǎn)生氧化膜。外界環(huán)境造成的灰塵沾污；

在引線鍵合前，進行等離子清洗，可有效清除鍵合區(qū)光刻膠，引線框架氧化膜、制程中的有機污染物等，從而達到提高鍵合強度，減少鍵合分離的目的。