在現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護(hù)下，對下層薄膜或晶圓基底完成進(jìn)行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。

      半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。

各類去膠方法對比：

自由基分子的等離子體無偏壓，無電性損壞；

產(chǎn)品可放在托盤、開槽或封閉的Magizine，處理效率高；

Magizine可配置旋轉(zhuǎn)架，通過合理的ECR設(shè)計(jì)，良好的氣體流量調(diào)節(jié)，可以達(dá)到比較高的均勻度；

集成的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，控制軟件，操作更方便；