隨著混合集成電路向著高性能、高密度、高可靠性以及小型化、低成本的方向發(fā)展，對(duì)芯片的封裝焊接工藝提出了更高的要求，將芯片與基板或管殼互聯(lián)時(shí)，主要有導(dǎo)電膠粘接和共晶焊接兩種方法，今天我們主要來(lái)研究下共晶焊接工藝。

在共晶過(guò)程中，焊料的浸潤(rùn)性、施加壓力的大小從而影響焊接質(zhì)量，造成空洞率過(guò)高、芯片開(kāi)裂等問(wèn)題導(dǎo)致共晶失敗。

共晶后空洞率是一項(xiàng)重要的檢測(cè)指標(biāo)，如何降低空洞率是共晶的關(guān)鍵技術(shù)。

消除空洞的主要方法有：

（一）共晶前可使用微波PLASMA清潔基板與焊料表面，增加焊料的浸潤(rùn)性；

基板和焊料的清洗方案，推薦使用晟鼎的微波PLASMA清洗機(jī)，可在現(xiàn)有的工藝制程中，直接導(dǎo)入微波PLASMA清洗，簡(jiǎn)單方便，快速提升良品率。

（二）共晶時(shí)在器件上放置加壓裝置，直接施加正壓；

共晶壓力參數(shù)設(shè)置，需多次實(shí)驗(yàn)得出適當(dāng)?shù)闹?，壓力過(guò)大、過(guò)小都不利于工藝控制及焊接可靠性。